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MQ-D4B半導(dǎo)體氣體傳感器的詳細(xì)資料

半導(dǎo)體氣體傳感器MQ-D4B產(chǎn)品概述

MQ-D4B 可燃?xì)怏w傳感器采用多層厚膜制造工 藝，在微型 Al2O3陶瓷基片的兩面分別制作加熱器 和金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏層，封裝在金屬殼體內(nèi)。 當(dāng)環(huán)境空氣中有被檢測(cè)氣體存在時(shí)傳感器電導(dǎo)率 發(fā)生變化。該氣體的濃度越高，傳感器的電導(dǎo)率就 越高。采用簡(jiǎn)單的電路即可將這種電導(dǎo)率的變化轉(zhuǎn) 換為與氣體濃度相對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)。

半導(dǎo)體氣體傳感器MQ-D4B特點(diǎn)

該產(chǎn)品在較寬的濃度范圍內(nèi)對(duì)甲烷有良好的靈敏度，具有抗干擾能力強(qiáng)、功耗低、響應(yīng) 恢復(fù)快、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)、低成本、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。

MQ-D4B應(yīng)用

產(chǎn)品適用于家庭、工廠、商業(yè)用所的可燃?xì)怏w泄漏監(jiān)測(cè)裝置，防火/安全探測(cè)系統(tǒng)；可燃 氣體泄漏報(bào)警器、氣體檢漏儀。

MQ-D4B主要技術(shù)指標(biāo)

MQ-D4B外形尺寸及測(cè)試電路

說(shuō)明：上圖為 MQ-D4B 傳感器的基本測(cè)試電路。該傳感器需要施 加 2 個(gè)電壓：加熱器電壓（VH）和測(cè)試電壓（VC）。其中 VH 用于為 傳感器提供特定的工作溫度, 可用直流電源或交流電源。VRL 是傳感器 串聯(lián)的負(fù)載電阻（RL）上的電壓。VC 是為負(fù)載電阻 RL 提供測(cè)試的電 壓，須用直流電源。

使用注意事項(xiàng)

1、必須避免的情況 

1.1 暴露于可揮發(fā)性硅化合物蒸氣中 傳感器要避免暴露于硅粘接劑、發(fā)膠、硅橡膠、膩?zhàn)踊蚱渌嬖诳蓳]發(fā)性硅化合物的場(chǎng) 所。如果傳感 器的表面吸附了硅化合物蒸氣，傳感器的敏感材料會(huì)被硅化合物分解形成的二 氧化硅包裹，抑制傳感器的 敏感性，并且不可恢復(fù)。 

1.2 高腐蝕性的環(huán)境 傳感器暴露在高濃度的腐蝕性氣體（如 H2S，SOX，Cl2，HCl 等）中，不僅會(huì)引起加熱 材料及傳感器引線的腐蝕或破壞，并會(huì)引起敏感材料性能發(fā)生不可逆的劣變。

1.3 堿、堿金屬鹽、鹵素的污染 傳感器被堿金屬尤其是鹽水噴霧污染后，或暴露在鹵素如氟利昂中，也會(huì)引起性能劣變。 

1.4 接觸到水 濺上水或浸到水中會(huì)造成傳感器敏感特性下降。 

1.5 結(jié)冰 水在傳感器敏感材料表面結(jié)冰會(huì)導(dǎo)致敏感層碎裂而喪失敏感特性。 

1.6 施加電壓過(guò)高 

如果給傳感器或加熱器施加的電壓高于規(guī)定值，即使傳感器沒(méi)有受到物理?yè)p壞或破壞， 也會(huì)造成引線或加熱器損壞，并引起傳感器敏感特性下降。